gbogbo awọn Isori
CVD Silicon Carbide (SiC) Aso

CVD Silicon Carbide (SiC) Aso

Ile> awọn ọja > CVD Aso > CVD Silicon Carbide (SiC) Aso

02
02

SiC Bo Wafer Susceptor


Ibi ti Oti: China
Brand Name: Semixlab
Awoṣe Number: SiC Ti a bo Wafer Susceptor-01
iwe eri: ISO9001
Kere Bere fun opoiye: Koko-ọrọ si idunadura
Iye: Olubasọrọ fun adani Quotation
Apoti alaye: Standard okeere package
Akoko Ifijiṣẹ: 15-30 Ọjọ Lẹhin Ìmúdájú Bere fun
Owo ofin: T / T
Ipese Agbara: 2000pcs / osù
Apejuwe

SiC Coated Wafer Susceptor jẹ paati bọtini ti a lo ninu awọn ilana iwọn otutu bii semikondokito, Awọn LED, ati awọn fọtovoltaics. O jẹ lilo ni pataki lati gbe ati awọn wafers igbona (bii Si, GaN, SiC, oniyebiye ati awọn sobusitireti miiran) ninu awọn ilana bii isọdi eeru kẹmika (CVD), itọsi eefin kemikali Organic irin (MOCVD), ati epitaxy. SiC ti a bo pese o tayọ ga otutu resistance, ipata resistance, ati ki o gbona iduroṣinṣin, ati ki o jẹ dara fun simi ilana agbegbe.

ohun elo:

SiC (Silicon Carbide) Susceptor Wafer ti a bo jẹ paati bọtini ti a lo lọpọlọpọ ni iṣelọpọ semikondokito ati awọn ilana iwọn otutu giga, ti a lo ni pataki lati ṣe atilẹyin ati awọn igbona.

Awọn iṣẹ ti o le pese:

itupalẹ oju iṣẹlẹ ohun elo alabara, awọn ohun elo ti o baamu, ipinnu iṣoro imọ-ẹrọ.

Ifihan ile ibi ise:

Semixlab ni awọn ile-iṣẹ 2, ẹgbẹ ti awọn amoye pẹlu ọdun 20 ti iriri ohun elo, pẹlu R&D ati iṣelọpọ, idanwo ati awọn agbara ijẹrisi.

ni pato

imọ sile

ise agbese paramita
Aṣayan Awọn ohun elo lẹẹdi mimọ-giga
Ohun elo ti a fi bo Kemikali oru iwadi (CVD) SiC
Iwọn iwọn otutu ti o pọju ≤1800℃ (agbegbe iner / igbale)
Akoonu ti aimọ irin <1ppm
Aye roba Ra≤0.5μm (iyan didan)
Iwọn boṣewa Dara fun 2 ", 4", 6 ", 8" wafers (Iwọn ti a ṣe atilẹyin, irisi, sisanra)
ohun elo

Awọn aaye ohun elo akọkọ

Itọsọna ohun elo Oju iṣẹlẹ aṣoju
Ilana otutu ti o ga Ti a lo ninu awọn ilana iwọn otutu ti o ga julọ gẹgẹbi CVD (iṣiro atumọ kemikali), MOCVD (iṣiro afẹfẹ kemikali irin-irin) tabi idagba epitaxial lati gbe awọn ohun elo siliki tabi semikondokito agbo (gẹgẹbi GaN, SiC) wafers .SiC ti a bo le duro awọn iwọn otutu ti o ga ju 1000 ° C, idilọwọ awọn ohun elo irin ti aṣa lati awọn ohun elo ti o wa ni erupẹ ti o ni idinamọ si awọn ohun elo ti o wa ni erupẹ agbegbe tabi awọn ohun elo ti o wa ni erupẹ.
Ẹrọ ẹrọ Semiconductor Ti a lo ni igbaradi ti awọn ẹrọ agbara SiC ati awọn semikondokito iran-kẹta (bii GaN), ati pe o le koju awọn gaasi ibajẹ (bii H₂, HCl) ati awọn agbegbe iwọn otutu giga.
Awọn semikondokito iran kẹta Awọn ọkọ ayọkẹlẹ ti a bo SiC dara julọ ni ibamu pẹlu awọn iwọn imugboroja igbona ti GaN/SiC wafers, idinku awọn abawọn aapọn ni idagbasoke epitaxial ati imudarasi didara fiimu.
Itankale ati annealing Lakoko doping wafer silikoni tabi ilana annealing (gẹgẹbi annealing annealing lẹhin fifin ion), ibora SiC le duro ni iwọn otutu giga ju 1200°C lati yago fun idoti irin.

Ijẹrisi ijẹrisi pq ilolupo

Semixlab SiC Coated Wafer Susceptor ti kọja ijẹrisi boṣewa kariaye, didara rẹ ti jẹ idanimọ ni aṣẹ, ati pe o ni nọmba awọn imọ-ẹrọ itọsi, iyọrisi mimọ ibora SiC ti o ju 99.9999%.

Aṣoju ohun elo ilana

Sisẹ sobusitireti lẹẹdi → pretreatment dada → igbaradi ibora SiC → Ṣiṣe-ifiweranṣẹ → Ayẹwo didara → Ninu ati apoti

Nipasẹ iṣapeye ilana ilana gige-eti, Semixlab SiC Coated Wafer Susceptor ti ṣaṣeyọri aṣeyọri imọ-ẹrọ pataki ni awọn ohun elo epitaxial semiconductor giga-giga. Imudara tuntun yii ti jẹ ki aropo agbewọle agbewọle itesiwaju ni ọja semikondokito, nfunni ni iṣẹ ṣiṣe giga kan, ojutu abele ti o munadoko idiyele. Awọn alailagbara wa ti ni imuse ni aṣeyọri ni awọn oju iṣẹlẹ idagbasoke epitaxial gẹgẹbi GaN, SiC, LED, ati awọn ẹrọ agbara, ti n ṣe afihan iduroṣinṣin igbona ti o yatọ, iṣọkan, ati igbesi aye gigun-awọn ifosiwewe bọtini fun awọn ilana ikore-giga.

Fun awọn alaye imọ-ẹrọ alaye, awọn iwe funfun, tabi awọn eto idanwo ayẹwo, jọwọ kan si Ẹgbẹ Atilẹyin Imọ-ẹrọ wa lati ṣawari bii Semixlab ṣe le mu imunadoko ilana epitaxial rẹ pọ si.

ifigagbaga Anfani

Semixlab SiC Bo Wafer Susceptor mojuto awọn anfani

O tayọ ga otutu resistance

Iduroṣinṣin otutu giga: SiC ni aaye yo ti o to 2700 ℃ ati pe o le ṣiṣẹ ni iduroṣinṣin fun igba pipẹ ni agbegbe ilana ti 1000 ℃ ~ 1600 ℃ (gẹgẹbi CVD, MOCVD, idagba epitaxial, bbl), eyiti o dara julọ ju irin alagbara tabi awọn ohun elo alloy aluminiomu. Olùsọdipúpọ̀ ìmúgbòòrò gbigboná kekere, ko rọrun lati dibajẹ ni iwọn otutu giga, ati ṣetọju deede ipo wafer.

Idojukọ mọnamọna gbona: SiC ni adaṣe igbona giga, le yarayara ati paapaa tu ooru kuro, ati dinku eewu ti jija ti o ṣẹlẹ nipasẹ awọn iyipada iwọn otutu lojiji (ti o tọ diẹ sii ju graphite).

O tayọ ipata ati idoti resistance

Sooro si awọn gaasi ipata gẹgẹbi HCl, H2, NH3 (wọpọ ni etching ati awọn ilana epitaxial), idilọwọ awọn ti ngbe lati jẹ ibajẹ ati fa ibajẹ patiku. Iṣẹ ṣiṣe anti-oxidation ti o lagbara, iduroṣinṣin diẹ sii ju graphite ni iwọn otutu ti o ni awọn agbegbe atẹgun (graphite nilo aabo ti a bo, lakoko ti SiC funrararẹ jẹ sooro si ifoyina). SiC ti a bo le se aseyori kan ti nw ti diẹ ẹ sii ju 99.9999% (6N), idilọwọ awọn irin impurities (gẹgẹ bi awọn Fe, Ni) lati contaminating awọn wafer, ati ki o jẹ paapa dara fun ohun alumọni-orisun ati jakejado bandgap semikondokito (GaN, SiC) ẹrọ.

O tayọ gbona elekitiriki ati ki o gbona uniformity

Iṣeduro igbona yara yara ṣe idaniloju alapapo aṣọ ti wafer (dinku sisanra ti ko ni deede lakoko idagbasoke epitaxial). Dara fun awọn ilana igbega otutu iyara ati isubu (gẹgẹbi annealing iyara RTP) lati mu ilọsiwaju iṣelọpọ ṣiṣẹ. Olusọdipúpọ imugboroja gbona ti SiC sunmọ ti ohun alumọni (Si) ati ohun alumọni carbide (SiC) wafers, idinku awọn abawọn lattice ti o ṣẹlẹ nipasẹ aapọn gbona.

Ibamu ati oniru ni irọrun

Awọn ideri SiC le wa ni ipamọ lori awọn sobusitireti gẹgẹbi graphite, molybdenum, ati okun erogba, ni akiyesi mejeeji ina ati agbara giga. Nipasẹ CVD tabi awọn ilana fifin, awọn ẹya idiju ti awọn gbigbe (gẹgẹbi awọn ẹya la kọja ati awọn eroja alapapo ti a fi sii) le ṣe imurasilẹ.

wa Services

Ile itaja Ọja Semixlab

lorun

Gbona isori