Ohun tí a fi ń dènà ìyípo tí a fi TaC bo

Àwọn ohun èlò ìyípadà tí a fi TaC bo Semixlab ṣe ni a ṣe ní pàtó láti bá àwọn ìbéèrè àwọn ìlànà epitaxial SiC ìran tó ń bọ̀ mu. Ìmọ̀ ẹ̀rọ ìbòrí TaC wa, pẹ̀lú àwòrán ìyípo tí ó péye, ń fúnni ní ìbáramu ooru tó tayọ ní àwọn àyíká CVD tí ó ní iwọ̀n otútù gíga, ó ń dín ìṣẹ̀dá pàtákì kù, ó sì ń rí i dájú pé iṣẹ́ náà dúró ṣinṣin fún ìgbà pípẹ́.

Ní pàtàkì ìṣe yìí ni ìbòrí tantalum carbide tó lágbára, tó sì ń dáàbò bo ìpìlẹ̀ graphite kúrò lọ́wọ́ ìbàjẹ́ hydrogen, ìtújáde ooru tó ga, àti àwọn ìṣesí pẹ̀lú àwọn gáàsì precursor tó ní silicon tàbí carbon. Ibùdó yíyọ́ ooru tó ga jùlọ ti TaC àti ìyípadà ooru tó yàtọ̀ mú kí ó dúró ṣinṣin, ìyípadà ooru tó dọ́gba nígbà epitaxy 4H-SiC, tó ń ṣe àtìlẹ́yìn fún ìdàgbàsókè ooru tó ju 1600-1700°C lọ. Nípa ṣíṣe àtìlẹ́yìn fún pápá ooru tó wà lábẹ́ ìṣàkóso nígbà tí a bá ń yípo wafer, substrate yìí ń rí i dájú pé a pínpín precursor tó dọ́gba, ìṣàn laminar tó dára sí i, àti ìṣọ̀kan ipele wafer tó yàtọ̀ nínú sísanra àti ìfọkànsí doping. Èyí ṣe pàtàkì fún àwọn ẹ̀rọ agbára bíi àwọn ìpele drift, àwọn ìpele epitaxial JBS, tàbí àwọn ìdìpọ̀ epitaxial tó nípọn tó ga, níbi tí ìyàtọ̀ ìṣọ̀kan ti ní ipa lórí ìṣẹ́dá àti iṣẹ́ iná mànàmáná ní pàtàkì.

A tún ṣe àtúnṣe sí ìṣàkójọpọ̀ ìyípo tí a fi TaC bo fún ìdarí ìbàjẹ́, ọ̀kan lára ​​àwọn apá pàtàkì jùlọ nínú SiC epitaxy. Ojú TaC líle tó lágbára náà kò gbà kí àwọn microcracks, flaking, àti splalling kódà lẹ́yìn gígun gígun, èyí tó dín ìṣẹ̀dá pàǹtíkì kù nínú yàrá epitaxial. Àwọn ànímọ́ kẹ́míkà tó dúró ṣinṣin rẹ̀ máa ń dín ìfarahàn àwọn ohun ìdọ̀tí irin tàbí erogba kù, ó máa ń pa ìmọ́tótó fíìmù epitaxial mọ́, ó sì máa ń dín ìwọ̀n àbùkù kù. Àwọn àǹfààní wọ̀nyí máa ń fa àkókò ìtọ́jú pọ̀ sí i, ó máa ń mú kí àkókò iṣẹ́ yàrá pọ̀ sí i, ó sì máa ń mú kí iṣẹ́ ẹ̀rọ pọ̀ sí i—ní pàtàkì ní àwọn àyíká iṣẹ́ tó ga níbi tí ìgbẹ́kẹ̀lé àti àtúnṣe ní ipa lórí iye owó gbogbo tí ó ní.

Láti ojú ìwòye ìmọ̀ ẹ̀rọ, a ṣe àgbékalẹ̀ ìpìlẹ̀ Semixlab láti lo ìwọ̀n jímẹ́ǹtì tó péye, ìwọ̀n ìbòrí tó dára, àti àwọn ọ̀nà ìtọ́jú ojú ilẹ̀ tó ti lọ síwájú láti máa ṣe iṣẹ́ ìyípo tó dúró ṣinṣin lábẹ́ àwọn iwọ̀n otútù tó le koko. Èyí mú kí iṣẹ́ ìgbóná induction pọ̀ sí i, ó sì ń mú kí ìpínkiri iwọ̀n otútù wafer dúró ṣinṣin ní gbogbo onírúurú ipò ìdàgbàsókè. Níkẹyìn, a ń pèsè ojútùú ìpìlẹ̀ tó dára fún iṣẹ́ ṣíṣe iwọn didun gíga àti R&D tó ti lọ síwájú, èyí tó ń rí i dájú pé ó bá àwọn ìpìlẹ̀ epitaxial SiC tó ṣáájú mu, ó sì ń mú kí wọ́n lè ṣe àtúnṣe sí àwọn iṣẹ́ wafer tó tó 6-inch àti 8-inch.

Àwọn ohun èlò ìyípadà tí a fi TaC bo Semixlab ṣe nígbẹ̀yìn gbẹ́yín ń ṣiṣẹ́ gẹ́gẹ́ bí ọ̀nà ìṣiṣẹ́ tí ó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé gan-an, tí ó ń mú kí dídára epitaxial pọ̀ sí i, tí ó ń mú kí iṣẹ́ ẹ̀rọ sunwọ̀n sí i, tí ó sì ń ṣe àtìlẹ́yìn fún àwọn fèrèsé ilana tí ó lágbára tí a nílò fún iṣẹ́ ẹ̀rọ agbára SiC òde òní. A ṣe é fún ìgbà pípẹ́, ìbàjẹ́ pàtákì díẹ̀, àti iṣẹ́ ooru tí ó tayọ, ọjà yìí jẹ́ apá pàtàkì fún àwọn ohun èlò tí ń wá àwọn àbájáde iṣẹ́jade epitaxial SiC tí ó dúró ṣinṣin, tí a lè sọtẹ́lẹ̀, àti ti àgbáyé.