Kini iyato laarin RTA ati RTP?

Áljẹbrà:

Nkan yii ṣe itupalẹ awọn iyatọ mojuto laarin iyara igbona iyara (RTA) ati sisẹ igbona iyara (RTP), lati awọn iwọn marun: asọye, ipilẹ, ohun elo to wulo, ibatan laarin awọn meji si awọn iṣeduro yiyan, lati ṣe iranlọwọ fun awọn onimọ-ẹrọ imọ-ẹrọ semikondokito lati loye ipo ati awọn oju iṣẹlẹ ti o wulo ti awọn meji ninu awọn ọna asopọ ilana, ati pese awọn itọju igbona ọjọgbọn fun iṣelọpọ ilọsiwaju.

Ⅰ. Core Definitions ati Ilana

1.1 RTA (Annealing Gbona Yiyara)

Apejuwe: Ilana imukuro iwọn otutu igba diẹ ti o ṣe aṣeyọri awọn ibi-afẹde kan pato ni akoko kukuru pupọ (awọn iṣẹju-aaya si mewa ti awọn aaya) nipasẹ alapapo iyara (to 100 ° C / iṣẹju-aaya tabi ga julọ) ati itutu agbaiye.

Ilana: Nlo awọn iwọn otutu giga lati mu itankale idoti ṣiṣẹ, ibajẹ gbingbin ion, tabi mu awọn dopants ṣiṣẹ, lakoko ti o yago fun itankale aimọ ti o pọju ti o ṣẹlẹ nipasẹ awọn iwọn otutu giga gigun.

Awọn abuda pataki ti RTA pẹlu:

● Alapapo iyara pupọ ati awọn oṣuwọn itutu agbaiye (≥100°C / iṣẹju-aaya)

● Wafer ẹyọkan processing

● Kò sí àwọn ìyípadà kẹ́míkà tó ṣe pàtàkì—ní pàtàkì bí a ti ń tanná ranni lọ́nà gbígbóná tàbí títún ọ̀dẹ̀dẹ̀ ṣe

● Wọ́n máa ń lò ó gẹ́gẹ́ bí ìgbésẹ̀ ìmúṣiṣẹ́ lẹ́yìn ìfisínú ion

1.2 RTP (Ṣiṣe ilana igbona iyara)

Itumọ: Ọrọ gbogbogbo fun igbona iyara processing, yika gbogbo awọn ilana igbona ti o waye nipasẹ alapapo iyara / itutu agbaiye, pẹlu ṣugbọn kii ṣe opin si annealing, oxidation, nitriding, alloying, bbl

Ilana: Nipa ṣiṣakoso ni deede ti tẹ akoko-iwọn otutu, o ṣe ilana igbekalẹ ohun elo, awọn ohun-ini wiwo, tabi pinpin aimọ.

Awọn ẹya pataki ti RTP pẹlu:

● Awọn oriṣi ilana oniruuru (kii ṣe opin si annealing)

● O lagbara ti alapapo iyara ati itutu agbaiye

● Ni agbara lati tunto oriṣiriṣi awọn agbegbe ayika (fun apẹẹrẹ, O₂, N₂, NH₃, ati bẹbẹ lọ)

● Ti o lagbara lati ṣakoso ni deede ni iwọn akoko iwọn otutu

II. Case Afiwera

2.1 RTA apẹẹrẹ: Annealing Muu ṣiṣẹ lẹhin Ion Igbin

Oju iṣẹlẹ: Ninu iṣelọpọ CMOS, lẹhin ti B⁺ ti gbin lati ṣe agbekalẹ orisun P-iru ati awọn agbegbe sisan, RTA ni a lo lati mu awọn ọta B ṣiṣẹ ati tunṣe lattice gara.

Ilana Ilana: Iwọn gbigbona ti 100 ° C / iṣẹju-aaya, ti o waye ni 1050 ° C fun awọn aaya 5, itutu agbaiye ti 50 ° C / iṣẹju-aaya.

Idi: Lati rọpo awọn ipo lattice Si pẹlu awọn ọta B (oṣuwọn imuṣiṣẹ> 90%) lakoko ti o ni opin ipinfunni B (ijinle idapọ <50 nm).

2.2 RTP apẹẹrẹ: Rapid thermal oxidation (RTO)

Oju iṣẹlẹ: Ni awọn ilana FinFET, RTP ni a lo lati ṣe agbekalẹ tinrin ultra-tin (1-3 nm) Dielectric ẹnu-ọna SiO₂ ti o ni agbara lori oju ohun alumọni.

Awọn paramita ilana: O₂ bugbamu, 900°C fun awọn aaya 60, ti n ṣe fẹlẹfẹlẹ 2 nm nipọn SiO₂.

Idi: Ni deede ṣakoso sisanra Layer oxide lakoko ti o yago fun abuku iwọn otutu-giga ti eto Fin.

Ⅲ. Ibasepo ati Ijọpọ Laarin RTA ati RTP

RTA jẹ ipin ti RTP: gbogbo awọn ilana RTA wa ninu RTP, ṣugbọn RTP tun ni awọn ilana miiran bii oxidation ati nitriding.

Ibamu Ohun elo: Ohun elo RTP ode oni ṣe atilẹyin awọn ipo ilana pupọ, ṣiṣe awọn iṣẹ bii RTA, RTO, ati RTN nipasẹ yiyi sọfitiwia.

Itankalẹ Imọ-ẹrọ: Ohun elo RTA ni kutukutu nikan ṣe atilẹyin awọn iwọn otutu ti o rọrun, lakoko ti awọn ọna ṣiṣe RTP ti o tẹle n ṣe ẹya iṣakoso igbi ti o nipọn diẹ sii (gẹgẹbi apapọ “itọpa tente oke” pẹlu “itutu agba”), didoju awọn aala laarin awọn meji.

Ⅳ. Bawo ni lati yan?

Yiyan ọna itọju ooru ni pataki da lori idi ti ilana naa:

Akopọ Iṣeduro:

Ti ibi-afẹde naa ba yara, annealing gbigbona ti agbegbe (gẹgẹbi imuṣiṣẹ lẹhin dida ion), yan RTA.

Ti o ba nilo lati ṣe awọn itọju ooru pupọ pẹlu awọn aati oju aye (gẹgẹbi oxidation, nitriding, siliconization, bbl), RTP dara julọ.