Ilé ìgbóná SiC kírísítà tó tóbi tó sì ń gbóná dáadáa

Semixlab Large-Sized Resistance-Heating SiC Crystal Growth Furnace ń bójútó àwọn ìṣòro pàtàkì nínú ẹ̀wọ̀n ìpèsè ohun èlò SiC: ìṣọ̀kan kristali, ìdínkù àbùkù, àti ìwọ̀n-tóbi sí àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ tóbi. Ìṣètò resistance-hotering náà ń rí i dájú pé a lè tún ṣe ìfijiṣẹ́ ooru nípasẹ̀ àwọn èròjà ìgbóná graphite tó dúró ṣinṣin, èyí tó ń jẹ́ kí a lè ṣàkóso sublimation ti àwọn ohun èlò orísun SiC tó mọ́ tónítóní àti àtúnṣe condensation ní ojú irúgbìn.

Nínú àyíká ìdàgbàsókè PVT, ilé ìtura náà ń gbé afẹ́fẹ́ tàbí gáàsì aláìlágbára tí a ṣàkóso dáadáa kalẹ̀ tí ó ń ṣe àtìlẹ́yìn fún ìdàgbàsókè kírísítà aláìlágbára. Ìṣàkóso ìgbóná PID rẹ̀ ní agbègbè púpọ̀ àti ààbò ooru tí a ṣe àtúnṣe rẹ̀ ń rí i dájú pé ìwọ̀n ìgbóná náà dára láàárín orísun SiC àti irúgbìn, ó ń mú kí agbára ìrìnnà ibi-pupọ̀ dúró ṣinṣin tí ó ń ṣe àfihàn ìwọ̀n ìdàgbàsókè boule, ìṣọ̀kan radial, àti ìdúróṣinṣin resistivity iná mànàmáná. Fún àwọn ohun èlò SiC onírúurú N àti àwọn ohun èlò ìdábòbò, ilé ìtura náà ń fúnni ní ìṣàkóso afẹ́fẹ́ tí ó tayọ láti ṣe àtìlẹ́yìn fún ìṣàkóso dopant tí ó lágbára àti àbùkù.

Sọ́fítíwètì ìṣàkóso tó ti ní ìlọsíwájú nínú ètò náà ń pèsè àbójútó àkókò gidi ti pípín iwọ̀n otútù, àwọn ipò ìfúnpá, àti àwọn ìpíndọ́gba ìdàgbàsókè, èyí tó ń mú kí iṣẹ́ ìṣẹ̀dá tó ṣeé tún ṣe àti tó ń darí dátà bá àwọn ohun tí a nílò fún ìdánilójú ìgbàlódé ti semiconductor mu. Ní ìdàpọ̀ pẹ̀lú àwòrán yàrá tó le koko, àwọn ohun èlò tó ní iwọ̀n otútù gíga, àti àwọn èròjà ooru tó pẹ́ títí, ináná náà ń ṣe àtìlẹ́yìn fún àwọn ìpolówó ìdàgbàsókè tó gùn àti ìdínkù iye owó ìní (TCO) fún àwọn olùṣe àgbékalẹ̀ SiC substrate.

Igbóná SiC Crystal Growth Furnace ti Semixlab jẹ́ ohun tó dára fún àwọn olùpèsè tí wọ́n ń gbìyànjú láti yípadà sí ìṣẹ̀dá boule SiC 6- àti 8-inch, kí wọ́n sì mú kí agbára SiC substrate tó lágbára pọ̀ sí i. Nípa ṣíṣe àkópọ̀ ìmọ̀ ẹ̀rọ ooru tó péye pẹ̀lú ìṣàkóso ìlànà semiconductor tó lágbára, Semixlab ń pèsè ìpele ìdàgbàsókè tó ń fún àwọn oníbàárà lágbára láti mú kí ìdàgbàsókè ìmọ̀ ẹ̀rọ SiC yára sí i nígbà tí wọ́n ń tọ́jú dídára ohun èlò, èso rẹ̀, àti iṣẹ́ ṣíṣe rẹ̀ tó ga jùlọ.

Ìrísí àti àwọn pàrámítà pàtàkì ti ilé ìgbóná SiC crystal:

● Ilana PVT

● Igbona resistance graphite

● Iwọn otutu iṣiṣẹ (o pọju): 2400℃.

● Àìsí omi tó ga jùlọ:≤9X10-5Pa.

● Ìwọ̀n Ìfúnpọ̀ Títẹ̀: ≤1.0Pa/12h (òtútù).

● Ó ti dé ibi tí àwọn ilé-iṣẹ́ tó gbajúmọ̀ kárí ayé ti gbé kalẹ̀ nínú iṣẹ́ yìí, ó sì ti jẹ́ èyí tó dára jùlọ nínú iṣẹ́ náà.

● Agbára apá ìdàgbàsókè kírísítàlì: 34.0KW.

● Ilé ìgbóná yìí láàárín àwọn ilé ìgbóná ìdàgbàsókè kírísítà tó jọra ní agbára tó kéré jùlọ, ó sì lè dín owó iṣẹ́ kù.

● Ìpéye ìṣàkóso ìfúnpá: 0.15Pa (Apá ìdàgbàsókè kírísítà)

● Ìwọ̀n kékeré mú kí ìwọ̀n lílo ààyè pọ̀ sí i àti bí a ṣe ń gbé àwọn ohun èlò sí i.