Ga ti nw lẹẹdi kosemi ro

rilara graphite mimọ ti o ga julọ, ohun elo aaye igbona mojuto fun semikondokito iran kẹta ati iṣelọpọ fọtovoltaic ti ilọsiwaju, jẹ ọja ilana kan ti o dagbasoke nipasẹ Semixlab ti o da lori diẹ sii ju ọdun 20 ti iwadii ohun elo ti o da lori erogba ati iriri idagbasoke. Nipasẹ imọ-ẹrọ imuduro awaridii ati ilana isọdi iwọn otutu giga-giga, ohun elo naa ṣaṣeyọri rigidity igbekale ati iduroṣinṣin ayika ti awọn ohun elo rirọ ti aṣa ko le ṣaṣeyọri lakoko mimu mimu awọn ohun-ini igbona ti o dara julọ ti lẹẹdi. Ilana iṣelọpọ bẹrẹ pẹlu awọn ohun elo aise ti ilọsiwaju ti kariaye, lẹhin 1200 ℃ iṣaju-carbonization lati ṣe agbekalẹ eto Layer aiṣedeede, resini eeru kekere ti ara ẹni ti o ni idagbasoke jẹ impregnated, ati awọn ẹya apẹrẹ ti eka ti pese pẹlu imọ-ẹrọ titẹ isostatic 80MPa. Ninu oju-aye ti o ni aabo argon, ara naa gba awọn wakati 72 ti gradient gradient ni 2800 ℃, eyiti o ṣe agbega atunto ti awọn ọta erogba lati ṣe agbekalẹ ilana gara ti o ni aṣẹ pupọ, ati nikẹhin ṣaṣeyọri deede iwọn ti ± 0.05mm nipasẹ ile-iṣẹ machining CNC marun-axis. Aṣọ gradient SiC kan pẹlu sisanra ti 50-200μm le ṣe iṣelọpọ nipasẹ isunmọ ọru kẹmika (CVD) lati mu ilọsiwaju ifoyina.

Rigidi lẹẹdi mimọ ti o ga julọ fihan iṣẹ ṣiṣe okeerẹ ti o dara julọ ni agbegbe igbona gbona: akoonu erogba rẹ jẹ ≥99.99% ati iye eeru ti wa ni iṣakoso muna laarin 65ppm, ni ibamu pẹlu awọn ibeere ti mimọ ite semikondokito; Paapaa ni iwọn otutu giga ti 2000 ℃, o tun ṣetọju agbara gbigbe ti ≥3MPa, ni aṣeyọri bibori iṣoro ile-iṣẹ ti awọn ohun elo rirọ rirọ rọrun lati bajẹ ati ṣubu labẹ awọn ipo iwọn otutu giga. Ṣe aṣeyọri deede iṣakoso iwọn otutu deede ni ileru idagbasoke gara kanṣoṣo ti SiC, eyiti o jẹ 40% ti o ga ju apapọ ile-iṣẹ lọ, ati ni imunadoko dinku iwuwo iyọkuro gara kan ni isalẹ 500cm⁻². Lẹhin piparẹ 100 ati awọn akoko alapapo lati 2000 ℃ si iwọn otutu yara, oṣuwọn isunki ti laini ohun elo nigbagbogbo kere ju 0.5%, ti n fihan pe iduroṣinṣin iwọn ti erogba erogba ibile jẹ diẹ sii ju awọn akoko 3 lọ.

Ni aaye ti iṣelọpọ semikondokito ti iran-kẹta, ọja naa ti di paati mojuto ti gbigbe ọfin ti ara (PVT) ileru idagba SiC gara, eto ti a fikun le duro ni iwọn otutu agbegbe ti 3000 ℃ laisi irako igbekale, ati pẹlu SIC-Si pataki idapọmọra, ibora resistance ifoyina le dide si 1800℃. Iwọn igbale ti ileru gara kan jẹ iduroṣinṣin ni 5 × 10^-3Pa fun igba pipẹ.

Data_erogba/erogba Apapo:

1. SiC ileru idagbasoke gara kan ṣoṣo (ọna PVT)

Gẹgẹbi Layer idabobo ooru mojuto ti gbogbo awọn paati crucible graphite, iṣedede iṣakoso iwọn otutu axial jẹ ± 0.3℃ / mm; Growth iyẹwu igbale itoju <5× 10-3Pa; Ìwọ̀n yíyọ kristali ẹyọkan ti dinku si <500/cm².

2. Photovoltaic polycrystalline ingot ileru

Module idabobo aaye gbona ti o ga julọ dinku agbara agbara nipasẹ 35% (fiwera si awọn ipinnu erogba erogba ibile).

3. Ẹgbẹ kẹta semikondokito epitaxy ẹrọ

Ijọpọ pẹlu iyẹwu ifasẹyin MOCVD lati ṣaṣeyọri ± 1℃ isokan iwọn otutu ipele wafer.

Ṣe atilẹyin 8-inch GaN-on-SiC epitaxial dì iṣelọpọ ọpọ.

Agbara rirọ otutu giga: ti o ga ju ipele ile-iṣẹ lọ, to 150MPa.

Awọn iyipo igbona: to awọn akoko 1000, pupọ ga julọ ju apapọ ile-iṣẹ lọ.

Atilẹyin fun awọn iṣẹ adani ni kikun: lati ohun elo si apẹrẹ, isọdi pupọ.