Àwọn Òrùka Ìdìmú SSiC

Ní Semixlab, àwọn òrùka ìfàmọ́ra SSiC wa dúró fún ìpìlẹ̀ ìmọ̀ ẹ̀rọ ìfàmọ́ra gíga tí a ṣe fún àwọn ohun tí ó le koko ti iṣẹ́-ọnà semiconductor òde òní. A ṣe é láti inú silikoni carbide tí a fi sintered sintered carbide ṣe, àwọn ohun èlò ìfàmọ́ra wọ̀nyí ń pèsè ìdúróṣinṣin kẹ́míkà tí ó tayọ, ìfaradà ooru, àti agbára ẹ̀rọ ní gbogbo àyíká afẹ́fẹ́ tí ó gbajúmọ̀ jùlọ, iwọ̀n otútù gíga, àti afẹ́fẹ́ oníbàjẹ́. Pẹ̀lú ìrírí ìmọ̀ ẹ̀rọ tí ó lọ́rọ̀ nínú ṣíṣe wafer iwájú, a ṣe àgbékalẹ̀ àwọn ojutu ìfàmọ́ra SSiC tí ó ń mú ìdúróṣinṣin ilana pọ̀ sí i, tí ó ń mú kí àwọn ohun èlò pẹ́ sí i, tí ó sì ń dáàbò bo ìṣẹ́dá ẹ̀rọ ní àwọn nódù semiconductor tí ó ti ní ìlọsíwájú.

Láàárín àwọn ìlànà epitaxy (Epi), níbi tí àwọn wafers ti fara hàn sí afẹ́fẹ́ ọlọ́rọ̀ hydrogen, àwọn kemistri oníná chlorine líle, àti àwọn iwọ̀n otútù tí ó ju 1200°C lọ, àwọn SSiC Sealing Rings kó ipa pàtàkì nínú mímú kí afẹ́fẹ́ má wọ inú àyè yàrá tí ó ń ṣiṣẹ́ dáadáa àti àwọn àkójọpọ̀ ẹ̀rọ tí ó yí i ká. Àwọn porosity wọn tí ó kéré gan-an àti àìfaradà ipata tí kò ní àfiwé mú kí afẹ́fẹ́ máa wà nínú reactor náà, wọ́n ń dènà jíjí, ìbàjẹ́, àti àwọn ìṣesí parasitic tí ó lè ba ìṣọ̀kan fíìmù tàbí ìṣedéédé dopant jẹ́. Nínú àwọn ètò susceptor tí ń yípo, resistance gíga àti ìdúróṣinṣin ìwọ̀n ti SSiC ń mú kí iṣẹ́ tí ó rọrùn, tí kò ní patiku ṣiṣẹ́ nípasẹ̀ lílo ooru tí ń bá a lọ, tí ó ń ṣe àtìlẹ́yìn fún iṣẹ́ àwọn fẹlẹfẹlẹ epitaxial Si, SiGe, SiC, àti GaN tí ó ga jùlọ.

Nínú àwọn ìpìlẹ̀ ALD, CVD, PECVD, àti LPCVD, Àwọn òrùka SSiC Sealing Rings ń ṣiṣẹ́ gẹ́gẹ́ bí èdìdì yàrá àkọ́kọ́, àwọn òrùka ìyàsọ́tọ̀, àti àwọn èròjà ìṣètò tí a fi plasma hàn tí ó gbọ́dọ̀ kojú àwọn ohun tí ó ń ṣáájú halogen, ìfọ́ plasma, àti àwọn ìyípo fifa-sísàlẹ̀ tí a ń ṣe leralera. Agbára wọn láti wà láìsí ìdènà kẹ́míkà ní iwájú TEOS, TMA, chlorosilanes, àwọn ẹ̀yà fluorine, àti àwọn ọjà ìdènà mú kí wọ́n jẹ́ àṣàyàn tí a fẹ́ràn jù sí àwọn irin tí a fi bo tàbí àwọn èdìdì polymer composite. Ìṣètò kristali dídín ti SSiC ti Semixlab ń mú kí ìṣẹ̀dá outgassing àti patiku yípadà kúrò, ó ń ṣe àtìlẹ́yìn fún àwọn àyíká tí ó ń tún ara wọn ṣe àti àwọn àbùkù tí kò tó nǹkan tí a nílò fún ìdènà thin-film tí ó ti lọ síwájú. Nípa mímú ìdènà tí ó péye àti ìdúróṣinṣin ẹ̀rọ, àwọn òrùka wọ̀nyí ń mú kí ìfúnpá yàrá dúró, ìpínkiri iwọ̀n otútù, àti àwọn profaili ìṣàn precursor — àwọn kókó pàtàkì fún iṣẹ́ dielectric, ìdènà, àti iṣẹ́ fíìmù epitaxial tí ó dúró ṣinṣin.

Nínú ìtànkálẹ̀, ìfọ́mọ́ra ooru gíga, àti àyíká ìṣiṣẹ́ ooru kíákíá, SSiC Sealing Rings ń pèsè ìdènà tó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé láàrín àwọn agbègbè ìhùwàsí gbígbóná àti àwọn ìsopọ̀ ẹ̀rọ àyíká ti àwọn ètò ìléru. Ìwọ̀n ìfàsẹ́yìn ooru wọn tí ó kéré gan-an, pẹ̀lú agbára ìfọ́ gíga àti ìdènà oxidation tó dára, ń jẹ́ kí wọ́n lè pa ìwà títọ́ gaasi àti ìdúróṣinṣin ẹ̀rọ mọ́ kódà ju 1400°C lọ. Èyí ń rí i dájú pé ìṣiṣẹ́ dopant kan náà, àyíká ìléru tí ó dúró ṣinṣin, àti ìdúróṣinṣin wafer-to-wafer, ń dín ìdàpọ̀ àìmọ́ kù àti dín ìyípadà nínú àwọn ìlànà iṣẹ́ kù. Fún àwọn ìléru tube àti àwọn yàrá RTP/RTA bákan náà, ìdúróṣinṣin SSiC lábẹ́ àwọn ìgbóná otutu kíákíá ń rí i dájú pé ìgbésí ayé iṣẹ́ pẹ́, ìdíwọ́ ìtọ́jú díẹ̀, àti ìmọ́tótó ilana tí a dáàbò bò.

Nípasẹ̀ àyẹ̀wò ìṣètò kékeré tó ga, ìṣàyẹ̀wò ìdènà plasma-etch, ìṣàkóso ìwọ̀n tó péye, àti ìṣàyẹ̀wò ìbàjẹ́, gbogbo òrùka ìdìmú ni a fìdí rẹ̀ múlẹ̀ ní ìbámu pẹ̀lú àwọn ìlànà ilé iṣẹ́ kárí ayé tó lágbára. Àwọn èròjà tó jáde yìí fi àwọn ohun tí kò ní ionic tó pọ̀ gan-an hàn, ìtẹ̀síwájú tó fẹ́rẹ̀ẹ́ jẹ́ òdo, àti ìdúróṣinṣin ìwọ̀n gígùn, èyí tó ń jẹ́ kí àwọn aṣelọpọ ẹ̀rọ àti ohun èlò lè ṣe àṣeyọrí àkókò tó ga jù, àwọn ìyípo PM tó gùn, àti ìṣọ̀kan ìlànà tó ga jù ní gbogbo àwọn ìlà iṣẹ́. Semixlab jẹ́ alábàáṣiṣẹpọ̀ ìgbà pípẹ́ tí o gbẹ́kẹ̀lé nínú iṣẹ́ semiconductor sintered silicon carbide (SSiC).