Ohun elo Pupọ CVD SiC ti o ga julọ
Semixlab n pese awọn ohun elo CVD SiC ti o ni mimọ giga ti a ṣe apẹrẹ pataki fun idagbasoke kristali kan ṣoṣo ti PVT SiC, ti o pese orisun awọn ohun elo aise ti o gbẹkẹle. Awọn ohun elo SiC wa ni a ṣe ni lilo imọ-ẹrọ deposition kemikali ti o ni ilọsiwaju (CVD), ti o ni akoonu ẹgbin ti o kere pupọ, iwuwo giga, ati iduroṣinṣin ooru ti o tayọ, ti o rii daju pe ihuwasi sublimation ti o duro ṣinṣin ninu awọn ilana gbigbe afẹfẹ ti ara (PVT). Pẹlu iṣakoso didara ti o muna ati iṣẹ ṣiṣe ipele-si-batch ti o ṣe deede, Semixlab n ṣe iranlọwọ fun awọn alabara lati ṣaṣeyọri awọn ilana idagbasoke kristali SiC ti o gbẹkẹle ati ti o tobi. A n reti ibeere rẹ.
Apejuwe
Ohun èlò ìpapọ̀ gíga CVD Solid SiC Bulk jẹ́ ohun èlò ìpapọ̀ gíga gíga, polycrystalline silicon carbide tí a ṣe nípasẹ̀ ìlànà Chemical Vapor Deposition (CVD). A ṣe é ní pàtó fún ìdàgbàsókè àwọn kirisita silicon carbide kan nípa lílo ọ̀nà Physical Vapor Transport (PVT) ó sì ń ṣiṣẹ́ gẹ́gẹ́ bí ohun èlò orísun ìran tí ń bọ̀ láti rọ́pò lulú SiC ìbílẹ̀.
A ṣe ọjà yìí nípa ṣíṣe àtúnlo àti lílo àwọn èròjà semiconductor CVD-SiC tí a ti sọ nù tí ó ní ìwẹ̀nùmọ́ gíga. Nípasẹ̀ àwọn ìlànà bíi fífọ́, yíyàsọ́tọ̀, àti ìwẹ̀nùmọ́, a yípadà sí ohun èlò aise tí ó ní ìrísí búlúù pẹ̀lú àwọn ìwọ̀n tí a ṣàkóso. Ó ní àwọn àǹfààní pàtàkì pẹ̀lú ìwẹ̀nùmọ́ gíga, àìsí ìbàjẹ́ eruku erogba, àti ìwọ̀n ìdàgbàsókè kíákíá.
Kí ló dé tí o fi yan Ohun èlò CVD-SiC gẹ́gẹ́ bí Ohun èlò orísun PVT?
1. Ìṣẹ̀lẹ̀ Ìmọ̀-ẹ̀rọ
Àwọn ìwádìí tuntun ti fihàn pé lílo ohun èlò CVD-SiC tí a fọ́ gẹ́gẹ́ bí ohun èlò orísun PVT mú kí àwọn kirisita SiC kan ṣoṣo dàgbàsókè kíákíá lábẹ́ àwọn ìpele ìgbóná gíga (~3.8 °C/mm), ní ṣíṣe àṣeyọrí ìwọ̀n ìdàgbàsókè ti 1.46 mm/h nígbàtí ó ń pa dídára kirisita tó dára mọ́——pẹ̀lú ìbú pípé ní ìdajì gíga (FWHM) ti òkè (0004) nínú àpẹẹrẹ ìyípadà X-ray ti 18.9 arcsec nìkan.
2. Ṣíṣe àtúnṣe sí àwọn ìṣòro àdánidá pẹ̀lú àwọn orísun lulú ìbílẹ̀
Lulú SiC ìbílẹ̀ ní ọ̀pọ̀lọpọ̀ àwọn pàtákì kéékèèké tí ó máa ń yọ ní ojú ọjọ́ tí ó ga, tí ó máa ń tú àwọn èérí jáde tí ó sì máa ń mú “C-eruku” (àwọn pàtákì káàbọ̀n líle) jáde. Ní ìwọ̀n ìdàgbàsókè gíga, a lè gbé àwọn pàtákì wọ̀nyí lọ sí ojú ilẹ̀ kírísítàlì, èyí tí yóò fa àbùkù ìfàmọ́ra. Ohun èlò CVD-SiC Bulk Material kò ní àwọn pàtákì kéékèèké kéékèèké, èyí tí ó ń yanjú ìṣòro yìí ní pàtàkì.
3. Àtúnlo Àwọn Ohun Èlò
Ohun èlò CVD-SiC Bulk Material ni a rí láti inú àwọn èròjà CVD-SiC tó mọ́ tónítóní (bíi àwọn ọkọ̀ ojú omi graphite àti àwọn ohun èlò ìgbóná) tí a lò nínú àwọn iṣẹ́ semiconductor. Lẹ́yìn tí a bá ti rí wọn tí a sì fọ́ wọn, a tún lo àwọn ohun èlò wọ̀nyí, èyí tí ó ń jẹ́ kí wọ́n mọ́ tónítóní, tí ó sì ń jẹ́ kí wọ́n lè lo àwọn ohun èlò náà dáadáa.
Awọn iṣẹ ti a ṣe akanṣe
A le pese awọn iṣẹ wọnyi da lori awọn aini pato ti awọn ilana idagbasoke PVT ti awọn alabara wa:
| Awọn aṣayan Isọdi | Specification Range |
| Iwọn Dẹkun | 5 mm – 50 mm (a le ṣe atunṣe lori ibeere) |
| Iwa mimọ | 7N (99.99999%) |
| Irú Dídín-ó-nǹkan-ṣe-oògùn | Agbara resistance giga / Agbara resistance kekere (Iru N-doping) |
| apoti | Apoti yara mimọ, Kilasi 100/1000 aṣayan |
ni pato
imọ sile
| sile | Aṣoju Iye |
| iwuwo | 3.21 g/cm³ (Ìwọ̀n Ìṣirò) |
| ti nw | ≥ 99.99999% (7N) nípasẹ̀ GDMS |
| Agbára Ìrọ̀rùn (Iwọ̀n otútù yàrá) | 372-539 MPa |
| Agbára Rírọ̀ (1300°C) | 558 MPA |
| Ifọwọsi Isẹgun | 220–280 W/(m`K) |
| Olùsọdipúpọ ti Imugboroosi Gbona | 4.5 × 10⁻⁶ /K (RT–1000°C) |
| Resistivity | 0.1 – 1.0 Ω`cm (A le ṣe àtúnṣe) |
| Lile (Vickers) | Ọdun 2800 HV |
| Iwọn Blọọki Apapọ | 5–50 mm (A le ṣe àtúnṣe) |
Àkóónú Ẹ̀gbin Tó Wọ́pọ̀ (Àtúpalẹ̀ GDMS)
| ano | Àkóónú (ppb) |
| Na | <2 |
| Fe | <35 |
| Cr | <26 |
| Co | <1.3 |
| Cu | <50 |
| Zn | <9 |
ohun elo
Awọn iwoye Ohun elo
Ohun elo Pataki: Ohun elo orisun fun awọn kirisita SiC ti a gbin nipasẹ PVT
A ṣe àgbékalẹ̀ ọjà yìí ní pàtó fún ọ̀nà ìrìnnà físíìmù (PVT) láti gbin àwọn ohun èlò ìṣàlẹ̀ kirisita 4H-SiC àti 6H-SiC kan ṣoṣo, èyí tí ó ń ṣiṣẹ́ gẹ́gẹ́ bí ohun èlò ìrọ́pò fún àwọn orísun silikoni àti erogba tí ó mọ́ tónítóní.
Ilana Ilana:
1. Ní igbóná gíga (2100–2500°C) àti ìfúnpá kékeré (~4 kPa), ohun èlò CVD-SiC máa ń yọ́ láti mú àwọn ẹ̀yà gaseous jáde bíi Si, SiC₂, àti Si₂C.
2. Nítorí ìyípadà ooru, àwọn irú gaseous wọ̀nyí ni a ń gbé lọ sí ojú ilẹ̀ crystal onírúgbìn.
3. Àtúntò lórí kírísítà irúgbìn náà ń ṣe àwọn kírísítà SiC kan ṣoṣo tó ga.
| Ifiwera Awọn nkan | Lulú SiC Àṣà àtijọ́ | Ohun èlò Opo CVD-SiC |
| Iwọn patiku | 5-50 mm | olopobobo |
| Ìṣòro Eruku Erogba | Ó lè jẹ́ kí eruku C jáde, èyí tó máa ń yọrí sí ìdàpọ̀ | Kò sí àwọn pàtákì kéékèèké, kò sí eruku C |
| Pínpín Ẹ̀gbin | Ìwọ̀n àìmọ́ gíga nínú àwọn èròjà kéékèèké | Awọn ipele ẹgbin ti o kere pupọ, ti o dọgba |
| Oṣuwọn Idagba | 0.3-0.8 mm / h | Títí dé 1.46 mm/h |
| Didi iwọn otutu | Kere | Ti o tobi ju, ti o nmu idagbasoke kiakia lọ |
ifigagbaga Anfani
| Awọn ẹya ara ẹrọ | Apejuwe |
| Ìmọ́tótó gíga tó ga jùlọ | Ìmọ́tótó tó 99.99999% (7N), ìwọ̀n àìmọ́ irin tó kéré gan-an (ìpele ppb) |
| Kò sí Ìbàjẹ́ Eruku Erogba | Iru bulọọki ko ni awọn patikulu kekere, o yẹra fun awọn abawọn kristali ti o fa nipasẹ eruku "C" ti o njade ni iwọn otutu giga ni awọn orisun lulú ibile. |
| Oṣuwọn Idagbasoke Giga | Nípa lílo àwọn orísun CVD-SiC tó pọ̀, a lè ṣe àṣeyọrí ìwọ̀n ìdàgbàsókè kírísítà SiC kan ṣoṣo tó tó 1.46 mm/h, èyí tó ju 0.3–0.8 mm/h àwọn orísun ìyẹ̀fun ìbílẹ̀ lọ. |
| Didara Crystal to dara | Ó ń tọ́jú ìwọ̀n microtube kékeré àti ìwọ̀n ìyípadà kékeré (~3000 cm⁻²) kódà ní ìwọ̀n ìdàgbàsókè gíga, pẹ̀lú dídára kristali tí a lè fi wé àwọn wafers tí wọ́n ń tà. |
| Agbára Ìyípadà Ìwọ̀n Òtútù Ńlá | Fíìmù tó pọ̀ máa ń mú kí ìwọ̀n otútù tó pọ̀ sí i wà ní pápá ooru, èyí tó máa ń ṣe àǹfààní fún ìyípadà kíákíá àti ìdàgbàsókè tó dúró ṣinṣin. |
| Idije Iye owo | Atunlo awọn ẹya CVD-SiC ti o ni mimọ giga ti a da silẹ ninu awọn ilana semiconductor jẹ ki a tun lo awọn orisun, ti o yorisi awọn anfani idiyele pataki. |
wa Services

Ile itaja Ọja Semixlab


EN
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ




