gbogbo awọn Isori
SiC Awọn ohun elo amọ
Giga Mimọ CVD SiC Olopobobo
Giga Mimọ CVD SiC Olopobobo

Ohun elo Pupọ CVD SiC ti o ga julọ


Semixlab n pese awọn ohun elo CVD SiC ti o ni mimọ giga ti a ṣe apẹrẹ pataki fun idagbasoke kristali kan ṣoṣo ti PVT SiC, ti o pese orisun awọn ohun elo aise ti o gbẹkẹle. Awọn ohun elo SiC wa ni a ṣe ni lilo imọ-ẹrọ deposition kemikali ti o ni ilọsiwaju (CVD), ti o ni akoonu ẹgbin ti o kere pupọ, iwuwo giga, ati iduroṣinṣin ooru ti o tayọ, ti o rii daju pe ihuwasi sublimation ti o duro ṣinṣin ninu awọn ilana gbigbe afẹfẹ ti ara (PVT). Pẹlu iṣakoso didara ti o muna ati iṣẹ ṣiṣe ipele-si-batch ti o ṣe deede, Semixlab n ṣe iranlọwọ fun awọn alabara lati ṣaṣeyọri awọn ilana idagbasoke kristali SiC ti o gbẹkẹle ati ti o tobi. A n reti ibeere rẹ.

Apejuwe

Ohun èlò ìpapọ̀ gíga CVD Solid SiC Bulk jẹ́ ohun èlò ìpapọ̀ gíga gíga, polycrystalline silicon carbide tí a ṣe nípasẹ̀ ìlànà Chemical Vapor Deposition (CVD). A ṣe é ní pàtó fún ìdàgbàsókè àwọn kirisita silicon carbide kan nípa lílo ọ̀nà Physical Vapor Transport (PVT) ó sì ń ṣiṣẹ́ gẹ́gẹ́ bí ohun èlò orísun ìran tí ń bọ̀ láti rọ́pò lulú SiC ìbílẹ̀.

A ṣe ọjà yìí nípa ṣíṣe àtúnlo àti lílo àwọn èròjà semiconductor CVD-SiC tí a ti sọ nù tí ó ní ìwẹ̀nùmọ́ gíga. Nípasẹ̀ àwọn ìlànà bíi fífọ́, yíyàsọ́tọ̀, àti ìwẹ̀nùmọ́, a yípadà sí ohun èlò aise tí ó ní ìrísí búlúù pẹ̀lú àwọn ìwọ̀n tí a ṣàkóso. Ó ní àwọn àǹfààní pàtàkì pẹ̀lú ìwẹ̀nùmọ́ gíga, àìsí ìbàjẹ́ eruku erogba, àti ìwọ̀n ìdàgbàsókè kíákíá.

Kí ló dé tí o fi yan Ohun èlò CVD-SiC gẹ́gẹ́ bí Ohun èlò orísun PVT?

1. Ìṣẹ̀lẹ̀ Ìmọ̀-ẹ̀rọ

Àwọn ìwádìí tuntun ti fihàn pé lílo ohun èlò CVD-SiC tí a fọ́ gẹ́gẹ́ bí ohun èlò orísun PVT mú kí àwọn kirisita SiC kan ṣoṣo dàgbàsókè kíákíá lábẹ́ àwọn ìpele ìgbóná gíga (~3.8 °C/mm), ní ṣíṣe àṣeyọrí ìwọ̀n ìdàgbàsókè ti 1.46 mm/h nígbàtí ó ń pa dídára kirisita tó dára mọ́——pẹ̀lú ìbú pípé ní ìdajì gíga (FWHM) ti òkè (0004) nínú àpẹẹrẹ ìyípadà X-ray ti 18.9 arcsec nìkan.

2. Ṣíṣe àtúnṣe sí àwọn ìṣòro àdánidá pẹ̀lú àwọn orísun lulú ìbílẹ̀

Lulú SiC ìbílẹ̀ ní ọ̀pọ̀lọpọ̀ àwọn pàtákì kéékèèké tí ó máa ń yọ ní ojú ọjọ́ tí ó ga, tí ó máa ń tú àwọn èérí jáde tí ó sì máa ń mú “C-eruku” (àwọn pàtákì káàbọ̀n líle) jáde. Ní ìwọ̀n ìdàgbàsókè gíga, a lè gbé àwọn pàtákì wọ̀nyí lọ sí ojú ilẹ̀ kírísítàlì, èyí tí yóò fa àbùkù ìfàmọ́ra. Ohun èlò CVD-SiC Bulk Material kò ní àwọn pàtákì kéékèèké kéékèèké, èyí tí ó ń yanjú ìṣòro yìí ní pàtàkì.

3. Àtúnlo Àwọn Ohun Èlò

Ohun èlò CVD-SiC Bulk Material ni a rí láti inú àwọn èròjà CVD-SiC tó mọ́ tónítóní (bíi àwọn ọkọ̀ ojú omi graphite àti àwọn ohun èlò ìgbóná) tí a lò nínú àwọn iṣẹ́ semiconductor. Lẹ́yìn tí a bá ti rí wọn tí a sì fọ́ wọn, a tún lo àwọn ohun èlò wọ̀nyí, èyí tí ó ń jẹ́ kí wọ́n mọ́ tónítóní, tí ó sì ń jẹ́ kí wọ́n lè lo àwọn ohun èlò náà dáadáa.

Awọn iṣẹ ti a ṣe akanṣe

A le pese awọn iṣẹ wọnyi da lori awọn aini pato ti awọn ilana idagbasoke PVT ti awọn alabara wa:

Awọn aṣayan Isọdi Specification Range
Iwọn Dẹkun 5 mm – 50 mm (a le ṣe atunṣe lori ibeere)
Iwa mimọ 7N (99.99999%)
Irú Dídín-ó-nǹkan-ṣe-oògùn Agbara resistance giga / Agbara resistance kekere (Iru N-doping)
apoti Apoti yara mimọ, Kilasi 100/1000 aṣayan
ni pato

imọ sile

sile Aṣoju Iye
iwuwo 3.21 g/cm³ (Ìwọ̀n Ìṣirò)
ti nw ≥ 99.99999% (7N) nípasẹ̀ GDMS
Agbára Ìrọ̀rùn (Iwọ̀n otútù yàrá) 372-539 MPa
Agbára Rírọ̀ (1300°C) 558 MPA
Ifọwọsi Isẹgun 220–280 W/(m`K)
Olùsọdipúpọ ti Imugboroosi Gbona 4.5 × 10⁻⁶ /K (RT–1000°C)
Resistivity 0.1 – 1.0 Ω`cm (A le ṣe àtúnṣe)
Lile (Vickers) Ọdun 2800 HV
Iwọn Blọọki Apapọ 5–50 mm (A le ṣe àtúnṣe)


Àkóónú Ẹ̀gbin Tó Wọ́pọ̀ (Àtúpalẹ̀ GDMS)

ano Àkóónú (ppb)
Na <2
Fe <35
Cr <26
Co <1.3
Cu <50
Zn <9
ohun elo

Awọn iwoye Ohun elo

Ohun elo Pataki: Ohun elo orisun fun awọn kirisita SiC ti a gbin nipasẹ PVT

A ṣe àgbékalẹ̀ ọjà yìí ní pàtó fún ọ̀nà ìrìnnà físíìmù (PVT) láti gbin àwọn ohun èlò ìṣàlẹ̀ kirisita 4H-SiC àti 6H-SiC kan ṣoṣo, èyí tí ó ń ṣiṣẹ́ gẹ́gẹ́ bí ohun èlò ìrọ́pò fún àwọn orísun silikoni àti erogba tí ó mọ́ tónítóní.

Ilana Ilana:

1. Ní igbóná gíga (2100–2500°C) àti ìfúnpá kékeré (~4 kPa), ohun èlò CVD-SiC máa ń yọ́ láti mú àwọn ẹ̀yà gaseous jáde bíi Si, SiC₂, àti Si₂C.

2. Nítorí ìyípadà ooru, àwọn irú gaseous wọ̀nyí ni a ń gbé lọ sí ojú ilẹ̀ crystal onírúgbìn.

3. Àtúntò lórí kírísítà irúgbìn náà ń ṣe àwọn kírísítà SiC kan ṣoṣo tó ga.

Ifiwera Awọn nkan Lulú SiC Àṣà àtijọ́ Ohun èlò Opo CVD-SiC
Iwọn patiku 5-50 mm olopobobo
Ìṣòro Eruku Erogba Ó lè jẹ́ kí eruku C jáde, èyí tó máa ń yọrí sí ìdàpọ̀ Kò sí àwọn pàtákì kéékèèké, kò sí eruku C
Pínpín Ẹ̀gbin Ìwọ̀n àìmọ́ gíga nínú àwọn èròjà kéékèèké Awọn ipele ẹgbin ti o kere pupọ, ti o dọgba
Oṣuwọn Idagba 0.3-0.8 mm / h Títí dé 1.46 mm/h
Didi iwọn otutu Kere Ti o tobi ju, ti o nmu idagbasoke kiakia lọ
ifigagbaga Anfani
Awọn ẹya ara ẹrọ Apejuwe
Ìmọ́tótó gíga tó ga jùlọ Ìmọ́tótó tó 99.99999% (7N), ìwọ̀n àìmọ́ irin tó kéré gan-an (ìpele ppb)
Kò sí Ìbàjẹ́ Eruku Erogba Iru bulọọki ko ni awọn patikulu kekere, o yẹra fun awọn abawọn kristali ti o fa nipasẹ eruku "C" ti o njade ni iwọn otutu giga ni awọn orisun lulú ibile.
Oṣuwọn Idagbasoke Giga Nípa lílo àwọn orísun CVD-SiC tó pọ̀, a lè ṣe àṣeyọrí ìwọ̀n ìdàgbàsókè kírísítà SiC kan ṣoṣo tó tó 1.46 mm/h, èyí tó ju 0.3–0.8 mm/h àwọn orísun ìyẹ̀fun ìbílẹ̀ lọ.
Didara Crystal to dara Ó ń tọ́jú ìwọ̀n microtube kékeré àti ìwọ̀n ìyípadà kékeré (~3000 cm⁻²) kódà ní ìwọ̀n ìdàgbàsókè gíga, pẹ̀lú dídára kristali tí a lè fi wé àwọn wafers tí wọ́n ń tà.
Agbára Ìyípadà Ìwọ̀n Òtútù Ńlá Fíìmù tó pọ̀ máa ń mú kí ìwọ̀n otútù tó pọ̀ sí i wà ní pápá ooru, èyí tó máa ń ṣe àǹfààní fún ìyípadà kíákíá àti ìdàgbàsókè tó dúró ṣinṣin.
Idije Iye owo Atunlo awọn ẹya CVD-SiC ti o ni mimọ giga ti a da silẹ ninu awọn ilana semiconductor jẹ ki a tun lo awọn orisun, ti o yorisi awọn anfani idiyele pataki.
wa Services

Ile itaja Ọja Semixlab

aisọye

lorun

Gbona isori