Ri to SiC ti ngbe

Semixlab's Solid SiC Carrier nlo SiC kristali mimọ-giga bi sobusitireti, ati pe o ṣe iwọn-iwọn-iwọn SiC-C apapo aabo lori dada nipasẹ ilana ibora ti itọsi, eyiti o tun ṣe aala iṣẹ ṣiṣe ti ohun elo ti ngbe ni ipele molikula. Iṣe ti o dara julọ jẹ lati inu eto kristali alailẹgbẹ ti SiC ati awọn abuda mnu covalent.

Awọn ohun elo ti ohun elo

● Iduroṣinṣin igbona ti o ga pupọ ati iwọn otutu: SiC ṣe afihan iduroṣinṣin to dara julọ ni awọn iwọn otutu giga ati pe o le ṣiṣẹ ni iduroṣinṣin ni agbegbe oxidizing titi di 1600 ° C, ati iwọn otutu sublimation rẹ le paapaa de ọdọ 2700 ° C. Eyi jẹ ki awọn gbigbe SiC jẹ yiyan ti o dara julọ fun idagbasoke epitaxial otutu-giga, annealing ati awọn ilana miiran, ti o ga ju ifarada ti awọn ohun elo ibile lọ.

● Imudara gbigbona ti o dara julọ: Imudani ti o gbona ti SiC ni iwọn otutu yara jẹ giga bi 120 W / m · K, eyiti o jẹ awọn akoko 3 ti silikoni (Si). Iṣeduro igbona ti o ga julọ ni idaniloju pe wafer lori ti ngbe le gba pinpin iwọn otutu iṣọkan ni awọn ilana iwọn otutu giga, nitorinaa aridaju isokan ti didara idagbasoke Layer epitaxial ati idinku warping ati aapọn.

● O tayọ darí agbara ati líle: SiC ni o ni lalailopinpin giga líle (Mohs líle 9.0-9.5, Vickers líle 32 GPa), keji nikan lati Diamond, bi daradara bi ga Young ká modulus (440 GPa) ati ki o ga atunse agbara (490 MPa). Eyi jẹ ki agbẹru SiC ni sooro pupọ lati wọ ati abuku lakoko ipa ẹrọ ati mimu kikan-giga, n fa igbesi aye iṣẹ rẹ pọ si ni imunadoko.

Kini idi ti o yan Semixlab's Solid SiC Carrier?

● R&D ati awọn agbara iṣelọpọ: Semixlab ni awọn ile-iṣẹ R&D 2, awọn ipilẹ iṣelọpọ 2, awọn laini iṣelọpọ 12, diẹ sii ju awọn oṣiṣẹ 150, ati awọn iroyin idoko-owo R&D fun diẹ sii ju 30%. O ni agbara lati gbejade ẹgbẹẹgbẹrun awọn ọja SiC ni ọdọọdun.

● Awọn anfani imọ-ẹrọ: Ni ominira ṣe idagbasoke awọn ohun elo CVD ati awọn agbekalẹ, ṣe atilẹyin CVDSiC ti o ga-mimọ, TaC ati awọn ohun elo miiran ati awọn ohun elo SiC ti o lagbara, iṣakoso CNC konge le de ọdọ 3μm, akoonu eeru jẹ kere ju 5ppm, ati iṣẹ-ṣiṣe ọja jẹ asiwaju ile-iṣẹ.

● Eto ipese pipe: Semixlab ni laini ohun elo ohun elo ohun elo silikoni ti ominira ati iru ẹrọ CNC ti o tọ, eyiti o le pese Ø4 "~ Ø12" ati awọn titobi ti a ṣe adani, atilẹyin ifijiṣẹ yarayara, ati ṣe deede si awọn burandi ohun elo akọkọ gẹgẹbi Veeco, AIXTRON, ati Awọn ohun elo ti a lo.

● Isọdi-ara ati iṣẹ-iduro-ọkan: Ni ibamu si awọn aini alabara, a le pese awọn iṣẹ ṣiṣe ni kikun lati aṣayan ohun elo, R & D, awaoko si iṣelọpọ pupọ lati pade orisirisi awọn iṣelọpọ semikondokito giga.

● Ọja kariaye ati ipilẹ alabara: Semixlab ti ṣe agbekalẹ ifowosowopo igba pipẹ pẹlu diẹ sii ju iṣelọpọ wafer 30 ati awọn alabara semikondokito agbo ni ile ati ni okeere, pẹlu Mini LED, ẹrọ agbara SiC, MEMS, ati awọn aṣelọpọ ẹrọ RF.

Ti o lagbara SiC ti di ohun elo bọtini ni awọn aaye ti epitaxy semikondokito, apoti, awọn ẹrọ agbara, ati bẹbẹ lọ pẹlu awọn ohun-ini ohun elo ti o dara julọ ati iṣẹ ṣiṣe. Semixlab jẹ alabaṣepọ ti o ni igbẹkẹle ti o pese awọn iṣeduro SiC ti o ga julọ ati daradara si awọn onibara agbaye pẹlu R&D ti o lagbara, iṣelọpọ ati awọn agbara isọdi.

Awọn lilo ni pato ni iṣelọpọ semikondokito

Išẹ ti o dara julọ ti Solid SiC Carrier jẹ ki o ṣe ipa ti ko ṣe pataki ni ọpọlọpọ awọn ilana iṣelọpọ semikondokito bọtini, ni pataki fun awọn ọna asopọ pẹlu awọn ibeere giga ti o ga julọ fun iwọn otutu, mimọ, iṣọkan ati iduroṣinṣin ẹrọ. Awọn oju iṣẹlẹ ohun elo ti o wọpọ jẹ bi atẹle:

1. Apọju

MOCVD epitaxy: SiC ti ngbe jẹ paati mojuto ti idagbasoke ti GaN, GaAs, SiC ati awọn fiimu semikondokito miiran ti o wa ninu ohun elo MOCVD, gẹgẹbi agba agba ati awọn onigbese susceptor pancake. Iṣeduro gbigbona giga rẹ ṣe idaniloju isokan iwọn otutu ni iyẹwu ifaseyin, eyiti o ṣe pataki si isokan ti sisanra fiimu, akopọ ati doping; mimọ giga rẹ ati inertness kemikali ni imunadoko yago fun idoti aimọ ati rii daju itanna ati awọn ohun-ini opiti ti Layer epitaxial, paapaa ni iṣelọpọ awọn LED, ẹrọ itanna agbara ati awọn ẹrọ igbohunsafẹfẹ redio.

SiC epitaxy: Ninu iṣelọpọ ẹrọ agbara SiC, awọn gbigbe SiC jẹ awọn iru ẹrọ pipe fun idagbasoke epitaxial ti awọn wafers SiC. Olusọdipúpọ igbona igbona ti o baamu daradara ti awọn wafers SiC ni imunadoko ni idinku wahala ti o fa nipasẹ awọn iyipada iwọn otutu lakoko ilana apọju, nitorinaa idinku oṣuwọn abawọn ati imudara didara Layer epitaxial.

Epitaxy ti o da lori silikoni: Ni awọn ilana ohun alumọni ti ilọsiwaju, awọn gbigbe SiC tun le ṣee lo ni awọn ilana apọju ohun alumọni ti o nilo isokan otutu ti o ga ati awọn ibeere mimọ.

2. Ifiweranṣẹ

Annealing imuṣiṣẹ iwọn otutu ti o ga: Lẹhin fifisilẹ ion, awọn gbigbe SiC ni a lo ni awọn ilana imudara iwọn otutu giga fun ohun alumọni tabi awọn wafers SiC lati mu awọn dopants ti a gbin ṣiṣẹ ati atunṣe ibajẹ lattice. Iduroṣinṣin iwọn otutu ti o ga ati agbara alapapo aṣọ ti awọn ọkọ ayọkẹlẹ SiC ṣe idaniloju ṣiṣe ti ilana annealing ati iduroṣinṣin ti wafer.

RTP (iyara annealing thermal annealing): Ninu awọn ohun elo annealing igbona iyara, awọn ọkọ ayọkẹlẹ SiC le ṣe idiwọ awọn iyipo igbona ti o lagbara ti alapapo iyara ati itutu agbaiye ati ṣetọju iduroṣinṣin igbekalẹ, eyiti o dara fun awọn ilana ilọsiwaju bii annealing filasi.

3. Ion Igbin

Doping ati awọn oluṣe atunṣe: Awọn gbigbe SiC ni a lo lati ṣe atunṣe awọn wafers lakoko fifin ion. Agbara ẹrọ giga wọn ati resistance resistance ṣe idaniloju iduroṣinṣin labẹ bombardment beam ion. Ni akoko kanna, awọn abuda iran patiku kekere wọn tun dinku ibajẹ lakoko ilana gbingbin.

4. Awọn ohun elo miiran

Ilana Etching: Ni diẹ ninu awọn ICP (pilasima ti o ni inductively) etching tabi PSS (sobusitireti oniyebiye ti a ṣe apẹrẹ) awọn ilana etching, awọn gbigbe SiC ni a lo bi awọn ohun elo imuduro wafer tabi awọn sobusitireti nitori idiwọ wọn si ipata pilasima ati awọn abuda patiku kekere.

Awọn tubes ileru mimọ-giga / awọn ọkọ oju-omi kekere: Ni diẹ ninu itankale mimọ-giga tabi awọn ileru ifoyina, awọn ohun elo SiC tun ṣe sinu awọn ọpọn ileru tabi awọn ọkọ oju omi wafer lati pese agbegbe ilana ti o mọ julọ.