Silicon Carbide Seramiki Wafer Boat

Silicon Carbide Ceramic Wafer Boat jẹ ohun elo gbigbe iṣẹ giga ti a ṣe apẹrẹ fun iṣelọpọ semikondokito ati ilana agbara fọtovoltaic. O jẹ ohun elo seramiki silikoni ti o ni mimọ (SiC) ti o ga, eyiti o jẹ nipasẹ ilana isunmọ titẹ ti o ni ilọsiwaju. O ni resistance otutu giga ti o dara julọ, iduroṣinṣin kemikali ati agbara ẹrọ, ati pe o di awọn ohun elo pataki ni gbigbe wafer, annealing otutu otutu ati awọn ilana deede.

1. Iduroṣinṣin ni awọn agbegbe ti o pọju

Ẹya molikula ti awọn ohun elo amọ sic fun ni iduroṣinṣin igbona giga-giga, eyiti o le ṣetọju iduroṣinṣin igbekalẹ rẹ ni agbegbe iwọn otutu giga ti o tẹsiwaju ti 1650°C. Ti a ṣe afiwe pẹlu quartz ti aṣa tabi awọn ohun elo alumina, olùsọdipúpọ igbona ti awọn ọkọ oju omi sic jẹ kekere pupọ (4.5 × 10 nikan^-6/°C), ni imunadoko lati yago fun abuku tabi fifọ ti o ṣẹlẹ nipasẹ awọn iyipada iwọn otutu lojiji. Ni iṣelọpọ semikondokito, ohun-ini yii le dinku iyapa iṣipopada ti wafer ni ilana iwọn otutu giga ati ilọsiwaju ikore.

2. Iyatọ ipata ti ko ni afiwe

Awọn ohun elo seramiki silikoni ṣe afihan resistance to lagbara si awọn acids ti o lagbara (bii hydrofluoric acid, sulfuric acid), awọn ipilẹ ti o lagbara ati awọn gaasi oxidizing (Cl₂, O₂). Paapaa ni imi-ọjọ tabi oju-aye halogen ni 1400°C, dada naa jẹ didan ati laisi ipata, ni idaniloju pe ko si ibajẹ ti o ku lori oju wafer.

3. Long iṣẹ aye ati aje anfani

Nipasẹ ilana itọju densification dada alailẹgbẹ, resistance wiwọ ti ọkọ oju omi silikoni carbide jẹ diẹ sii ju awọn akoko 15 ti o ga ju ti awọn ohun elo ibile lọ. Idanwo gangan fihan pe lẹhin awọn akoko 1000 ni 1400 ° C oxidation bugbamu, roughness dada tun wa ni isalẹ ju 0.2μm ti Ra, ati awọn akoko iyipada le de ọdọ awọn akoko 5-8 ti ti awọn ọkọ oju omi seramiki lasan, eyiti o dinku igbohunsafẹfẹ ti tiipa ohun elo ati rirọpo, ati fifipamọ iye owo okeerẹ ju 30%.

Awọn alaye apejuwe:

1. Awọn orukọ miiran: Silikoni carbide crystal ọkọ, semikondokito seramiki ti ngbe.

2. Ohun elo: Ti a lo ni itọka iwọn otutu ti o ga, ifoyina ati ilana annealing ni iṣelọpọ semikondokito lati gbe wafer silikoni ati rii daju pinpin ooru aṣọ.

3. Awọn paramita mojuto: mimọ ≥99.99%, o pọju iwọn otutu resistance ti 1500 ℃, kekere igbona imugboroosi olùsọdipúpọ (4.5 × 10-6 / ℃), lagbara gbona mọnamọna resistance.

Itọju otutu otutu otutu ti awọn wafers semikondokito (oxidation, annealing, doping). 

Photovoltaic ile ise wafer bo ati sintering.

Iduroṣinṣin otutu-giga: resistance igba pipẹ si 1500 ° C iwọn otutu giga, ko si abuku tabi attenuation iṣẹ.

Apẹrẹ idoti kekere: ohun elo mimọ giga + ilana ti kii ṣe alemora, yago fun idoti ion irin.

Igbesi aye gigun: resistance ijaya igbona ti o dara julọ, igbesi aye iṣẹ to gun ju ti ngbe quartz ni awọn akoko 3-5.

Isọdi ti o rọ: iwọn atilẹyin, aye iho, isọdi ijinle ti itọju dada.