Ààbò MOCVD pẹ̀lú ìbòrí TaC

Nínú àwọn ìlànà ìdàgbàsókè epitaxial semiconductor tí ó dá lórí MOCVD, substrate náà ń ṣiṣẹ́ gẹ́gẹ́ bí apá pàtàkì nínú ìlànà náà, tí ó ń pinnu àwọn ipò thermodynamic àti ààlà kẹ́míkà lábẹ́ wafer náà. A ṣe àgbékalẹ̀ MOCVD Susceptor ti Semixlab pẹ̀lú TaC Coating ní pàtó fún àwọn àyíká ìdàgbàsókè epitaxial, ó ń bá àwọn ìbéèrè líle koko tí ó wà fún ìdúróṣinṣin ohun èlò epitaxial tí àwọn iwọ̀n otútù iṣẹ́ gíga, àwọn kẹ́míkà precursor corrosion, àti àwọn ìyípo ìṣẹ̀dá tí ó gùn sí i mu. Nípa sísopọ̀ ìbòrí tantalum carbide tí a fi CVD ṣe pẹ̀lú ìṣètò substrate tí a fi ẹ̀rọ ṣe, ẹ̀yà yìí ń pèsè ìsopọ̀ tí ó dúró ṣinṣin, tí ó sì ń dènà ìdàgbàsókè epitaxial tí ó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé lábẹ́ àwọn ipò ìlànà tí ó le koko jùlọ.

Láàárín àwọn ohun èlò ìṣiṣẹ́ MOCVD, ìbòrí TaC ń kó ipa pàtàkì nínú mímú ìdúróṣinṣin ojú ilẹ̀ àti ìdúróṣinṣin ooru, ó sábà máa ń ṣiṣẹ́ ju 1200 °C lọ, ó sì lè sún mọ́ ààlà òkè àwọn ohun èlò ìbòrí ìbílẹ̀. Pẹ̀lú ibi yíyọ́ tí ó ju 3880 °C lọ àti àìlera kẹ́míkà tó tayọ, tantalum carbide ń dènà ìbàjẹ́ nínú àwọn àyíká hydrogen, ammonia, àti metal-organic tí ó jẹ́ àpẹẹrẹ ìdàgbàsókè epitaxial semiconductor compound. Ìdúróṣinṣin kẹ́míkà yìí ń dín ìbàjẹ́ ìbòrí kù, ó sì ń dín ìjákulẹ̀ ìgbóná omi tí ó wà nínú substrate kù, nípa bẹ́ẹ̀ ó ń dín ìṣẹ̀dá pàǹtíkì kù àti mímú àyíká ìdàgbàsókè mímọ́ tónítóní—tó ṣe pàtàkì fún àṣeyọrí àwọn fẹlẹfẹlẹ epitaxial tí ó ní àbùkù díẹ̀.

Láti ojú ìwòye ìṣàkóso ooru, TaC Coating Suscepter ń mú kí ìgbésẹ̀ ooru tí a lè sọtẹ́lẹ̀ àti tí ó dúró ṣinṣin wà láàrín agbègbè ìṣesí epitaxial. Ojú tantalum carbide máa ń mú kí ìtújáde ooru àti àwọn ànímọ́ ìtànṣán dúró ṣinṣin nígbà tí a bá ń ṣiṣẹ́ ní iwọ̀n otútù gíga, èyí tí ó ń mú kí ìṣàkóso iwọ̀n otútù wafer tí ó péye àti títúnṣe ìtúnṣe batch-to-batch ṣe. Ìdúróṣinṣin yìí ṣe pàtàkì ní pàtàkì nínú àwọn ìlànà ìdàgbàsókè epitaxial tí ó ti lọ síwájú, níbi tí àwọn ìyàtọ̀ iwọ̀n otútù kékeré lè fa àwọn ìyàtọ̀ pàtàkì nínú sísanra àwọn fẹlẹfẹlẹ, ìṣètò, tàbí ìdàpọ̀ dopant.

Nínú àwọn ohun èlò semiconductor, àwọn ohun èlò ìfàsẹ́yìn MOCVD tí a fi TaC bo ni a ń lò fún ìdàgbàsókè epitaxial LED tí ó dá lórí GaN, níbi tí ìwọ̀n otútù gíga àti ìwọ̀n ìṣàn gaasi ammonia gíga ti ń fa àwọn ìpèníjà líle koko sí àwọn ohun èlò substrate. Ìpele tantalum carbide onípele náà ń fara da ìfarahàn gígùn sí àwọn afẹ́fẹ́ oníbàjẹ́ nígbàtí ó ń pa ojú ilẹ̀ tí ó mọ́, tí ó lè bàjẹ́ mọ́ra. Èyí ń ran lọ́wọ́ láti dín ìbàjẹ́ pàtákì kù àti láti mú kí ìṣọ̀kan wafer sunwọ̀n síi. Ní àfikún, àwọn substrate tí a fi TaC bo ń ṣe àtìlẹ́yìn fún ìdàgbàsókè ilana MOCVD àti àwọn àyíká ìṣelọ́pọ́ ìdánwò. Ìdènà híhó ooru tí ó tayọ wọn àti ìdènà ìbàjẹ́ kẹ́míkà jẹ́ kí wọ́n lè fara da àwọn ìyípadà otutu déédéé àti àwọn àtúnṣe paramita ilana láìsí ìbàjẹ́ ìdúróṣinṣin ìbòrí. Èyí ń mú kí ìṣelọ́pọ́ ilana tí ó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé àti ìyípadà ìmọ̀-ẹ̀rọ dídán láti R&D sí ìṣelọ́pọ́ ibi-pupọ. Jálẹ̀ ìgbésí ayé apa náà, agbára àwọn ìbòrí TaC ń fa àwọn àkókò ìtọ́jú ìdènà, ó ń dín àkókò ìsinmi ohun èlò tí a kò gbèrò kù, ó sì ń dín iye owó gbogbo ìní rẹ̀ kù.

Gẹ́gẹ́ bí ilé-iṣẹ́ ìmọ̀-ẹ̀rọ tó gbajúmọ̀ ní ẹ̀ka iṣẹ́-ọnà epitaxial semiconductor ní China, Semeixab ti pinnu láti pèsè àwọn ìmọ̀-ẹ̀rọ tó ti ní ìlọsíwájú àti àwọn ọ̀nà ìtọ́jú Tantalum Carbide Coating MOCVD Suscepter tó ṣe àtúnṣe fún ilé-iṣẹ́ semiconductor. A lè so àwọn ọjà pọ̀ mọ́ àwọn iṣẹ́ àti àwọn àpẹẹrẹ tó bá àwọn ohun tí o fẹ́ mu, kí a lè rí i dájú pé iṣẹ́ rẹ rọrùn. Semeixab ń retí láti di alábàáṣiṣẹ́pọ̀ rẹ fún ìgbà pípẹ́ ní China.