Oruka Ti a Bo TaC fun SiC Epitaxial Reactor

Nínú àwọn ohun èlò ìṣiṣẹ́ oníná tí a fi silicon carbide ṣe, ìwọ̀n otútù tí ó máa ń ṣiṣẹ́ sábà máa ń kọjá 1600 °C lábẹ́ àyíká tí ó ní hydrogen àti chlorine tí ó ní ibàjẹ́ gidigidi. Iṣẹ́ àwọn ohun èlò ìdarí ààlà àti etí ní ipa taara lórí dídára ìpele epitaxial, ìdúróṣinṣin èso, àti àkókò iṣẹ́ ẹ̀rọ. A ṣe àwọn òrùka ìbòrí tantalum carbide (TaC) ti Semixlab ní pàtó láti bá àwọn ìbéèrè wọ̀nyí mu ní àyíká iṣẹ́ tí ó pọ̀. Àwọn òrùka wọ̀nyí ń ṣiṣẹ́ gẹ́gẹ́ bí àwọn ohun èlò iṣẹ́ tí ó ní ìwọ̀n otútù gíga fún àwọn ohun èlò ìṣiṣẹ́ oníná tí a fi SiC ṣe, tí ó ń rí i dájú pé iṣẹ́ náà dúró ṣinṣin fún ìgbà pípẹ́, ìdàgbàsókè oníná tí ó dọ́gba, àti ìmọ́tótó oníná.

Nínú àwọn ìlànà epitaxy SiC, a gbé àwọn òrùka ìbòrí tantalum carbide (TaC) sí ẹ̀gbẹ́ wafer tàbí ní àwọn agbègbè ìyípadà reactor fún ìṣàn ooru àti gaasi. Iṣẹ́ pàtàkì wọn ni láti mú kí àwọn ìyípadà otutu agbègbè àti ìwà ìṣesí ìfàsẹ́yìn vapor dúró ṣinṣin ní àwọn etí wafer—àwọn agbègbè tí ó ṣeé ṣe jùlọ láti kó àwọn parasites sínú àkóso àti àìbáramu etí. Nípa ṣíṣe àpèjúwe àwọn ààlà ìṣesí àti dídín silicon àti carbon tí a kò fẹ́ mú, àwọn òrùka ìbòrí wọ̀nyí mú kí ìṣọ̀kan epitaxial thickness àti dopant comfortness pọ̀ sí i fún àwọn wafer SiC oníwọ̀n-ńlá.

A ti yan ibora tantalum carbide ti Semixlab nitori iduroṣinṣin ooru ti o tayọ, aiṣedeede kemikali, ati resistance si ipata halide. Pẹlu aaye yo ti o ju 3880 °C lọ ati ibamu ti o tayọ pẹlu H₂, HCl, ati awọn kemikali ibajẹ miiran ti a maa n lo ninu awọn ilana epitaxy silicon carbide, TaC daabobo ipilẹ ti o wa ni isalẹ lati ibajẹ ati ibajẹ eto. Eto ibora ti o ni iwuwo giga, ti o ni porosity kekere yii dinku iṣelọpọ awọn ohun elo, dinku eewu ti awọn microcracks tabi delamination, ati rii daju pe awọn ipo reactor ti o duro ṣinṣin lakoko awọn iyipo iṣẹ gigun.

Ní ìfiwéra pẹ̀lú àwọn ọ̀nà ìtọ́jú carbide silicon tàbí graphite, Tantalum Carbide Coating tó ga jùlọ máa ń mú kí àkókò ìtọ́jú àti ìyípadà iṣẹ́ pọ̀ sí i, èyí sì máa ń dín ìyípadà iṣẹ́ àti ìyípadà iṣẹ́ tí ó ní í ṣe pẹ̀lú ìyípadà àwọn èròjà kù. Láti ojú ìwòye iye owó iṣẹ́, òrùka Tantalum Carbide Coating mú kí iṣẹ́ náà tún ara rẹ̀ ṣe àti pé ó máa ń jẹ́ kí owó rẹ̀ pọ̀ sí i. Fún àwọn ìlà iṣẹ́ epitaxial tó ga àti iṣẹ́ ẹ̀rọ agbára tó ga jù, ìdúróṣinṣin yìí túmọ̀ sí àwọn èso tó ga jù, lílo ohun èlò tó dára jù, àti iye owó iṣẹ́ tó dínkù.

Gẹ́gẹ́ bí ilé-iṣẹ́ ìmọ̀-ẹ̀rọ tó gbajúmọ̀ ní ẹ̀ka iṣẹ́-ọnà epitaxial semiconductor ní orílẹ̀-èdè China, Semixlab ní ìmọ̀ tó jinlẹ̀ nínú àwọn ìmọ̀-ẹ̀rọ ìbòrí tó ti ní ìlọsíwájú àti àwọn ohun èlò iṣẹ́ semiconductor. A ṣe ìdánilójú pé a ó ṣe àgbékalẹ̀ àti ṣe é lábẹ́ àwọn ìlànà ìṣàkóso dídára tó le gan-an. Semixlab ṣì ń fi ìmọ̀-ẹ̀rọ tó ti ní ìlọ́síwájú àti TaC Coated Ring tó ṣe àtúnṣe fún àwọn iṣẹ́ SiC Epitaxial Reactor. A ń retí láti di alábàáṣiṣẹpọ̀ ìgbà pípẹ́ rẹ ní China.